Детектирование амплитудно-модулированных сигналов - реферат

МИНИСТЕРСТВО ВНУТРЕННИХ ДЕЛ Русской ФЕДЕРАЦИИ

ВОРОНЕЖСКИЙ ИНСТИТУТ

Кафедра радиотехники КУРСОВАЯ РАБОТА по курсу: «Радиотехнические цепи и сигналы» Вариант 8 «Детектирование амплитудно-модулированных сигналов» Выполнил: слушатель ­­31 учебной группы

радиотехнического факультета з/о

Оларь Андрей Геннадьевич

шифр 00/72

347800 Ростовская область г. Каменск

ул. Героев-Пионеров д. 71 кв. 72

Проверил:

“_____” _______________ 200__ г.

ВОРОНЕЖ 2002 г.

СОДЕРЖАНИЕ :

стр.

1.Введение - 3

2.Задание на курсовую Детектирование амплитудно-модулированных сигналов - реферат работу - 4

3.Расчёт цепи нагрузки коллекторного сенсора - 5

4.Спектральные диаграммы сигналов коллекторного сенсора - 6

5.Расчёт цепи нагрузки диодного сенсора - 7

6.Спектральные диаграммы сигналов диодного сенсора - 8

7.Заключение - 10

8.Перечень использованной литературы - 11

1.ВВЕДЕНИЕ

На современном шаге развития общества наблюдается рост злодеяний связанных с хищением имущества различной формы принадлежности. В связи с этим в системе МВД принципиальная Детектирование амплитудно-модулированных сигналов - реферат роль отведена вневедомственной охране. В наш век, научно-технических революций, вневедомственная охрана заинтересована в том, чтоб задачки, по обеспечению надёжной охраны объектов, стоящие перед ней, производились с внедрением новейших технологий, а подразделения вневедомственной охраны формировались из обученных и высоко приготовленных профессионалов.

Основными задачками профессионалов вневедомственной охраны являются:

· смена Детектирование амплитудно-модулированных сигналов - реферат устаревшей техники;

· увеличение помехоустойчивости извещателей и систем передачи уведомлений.

Выполнение данных задач может быть только при наличии высшего радио инженерного образования. Одним из базисных курсов при получении такового образования является курс «Радиотехнические цепи и сигналы».

Данный курс даёт базу для предстоящего исследования радиотехники, т.к. конкретно на простом уровне описываются Детектирование амплитудно-модулированных сигналов - реферат сложные процессы в радиоэлектронных устройствах.

В текущее время, можно сказать, радиотехника является одним из выдающихся достижений населения земли. Без неё невообразима не современная наука, ни техника, ни индустрия. Без развития радиотехники нереально развитие современной вычислительной техники, которая употребляется во всех сферах людской деятельности.

2.ЗАДАНИЕ НА КУРСОВУЮ РАБОТУ

На Детектирование амплитудно-модулированных сигналов - реферат рисунке 1 и 2 приведены схемы коллекторного и диодного сенсоров амплитудно-модулированных сигналов. Резисторы R1 и R2 в схеме коллекторного сенсора образуют делитель напряжения Еп , который задаёт постоянную составляющую напряжения базы транзистора, а разделительный конденсатор С1 имеет огромную ёмкость и предназначен для разделения источника питания транзистора Еп и источника входного сигнала Детектирование амплитудно-модулированных сигналов - реферат по неизменному току. В коллекторном и диодном сенсорах в качестве нагрузки употребляется параллельная RC-цепь, состоящая из конденсатора ёмкостью Сн и резистора с сопротивлением Rн .

Входной сигнал имеет вид:

Где - амплитуда и частота несущего колебания, m – глубина модуляции, W - частота модулирующего сигнала.

Задание :

1.Отыскать значения сопротивления Rн и Детектирование амплитудно-модулированных сигналов - реферат ёмкости Сн в цепи нагрузки коллекторного сенсора, при которых коэффициент детектирования равен единице, если крутизна транзистора S=10 mA/В, частоты несущего и модулирующего колебаний равны w0 =106 рад/сек, W=104 рад/сек соответственно.

2.Изобразить спектральные диаграммы входного и выходного сигналов коллекторного сенсора с указанием амплитуд и частот всех спектральных составляющих Детектирование амплитудно-модулированных сигналов - реферат. Амплитуду несущего колебания и глубину модуляции считать равными Um =0,1 В, m=0,5.

3.Отыскать значения сопротивления Rн и ёмкости Сн в цепи нагрузки диодного сенсора, при которых коэффициент детектирования равен 0,9, если крутизна транзистора S=10 mA/В, частоты несущего и модулирующего колебаний равны w0 =106 рад/сек, W=104 рад/сек соответственно.

4.Изобразить Детектирование амплитудно-модулированных сигналов - реферат спектральные диаграммы входного и выходного сигналов диодного сенсора с указанием амплитуд и частот всех спектральных составляющих. Амплитуду несущего колебания и глубину модуляции считать равными Um =0,1 В, m=1.

3.РАСЧЁТ ЦЕПИ НАГРУЗКИ КОЛЛЕКТОРНОГО Сенсора

Отыскать значения сопротивления Rн и ёмкости Сн в цепи нагрузки коллекторного сенсора, при которых коэффициент детектирования равен единице, если Детектирование амплитудно-модулированных сигналов - реферат крутизна транзистора S=10 mA/В, частоты несущего и модулирующего колебаний равны w0 =106 рад/сек, W=104 рад/сек соответственно.

На рис.3 приведена схема коллекторного сенсора амплитудно-модулированных сигналов. В данной схеме резистор Rн образует делитель напряжения Епит и задаёт постоянную составляющую напряжения базы транзистора, а разделительный конденсатор Детектирование амплитудно-модулированных сигналов - реферат Сн имеет огромную ёмкость и предназначен для разделения источника питания транзистора Епит и источника входного сигнала по неизменному току. Параллельная RC-цепь употребляется в качестве нагрузки, она состоит из конденсатора емкостью Сн и резистора Rн .

Входной сигнал будет иметь вид:

(1)

где Um , w0 – амплитуда и частота несущего колебания, m – глубина Детектирование амплитудно-модулированных сигналов - реферат модуляции, W - частота модулирующего сигнала .

Коэффициент детектирования коллекторного сенсора определим из выражения:

Кд =0,318*S*Rн , (2)

где S – крутизна транзистора.

Величину сопротивления в цепи определим из выражения (2):

Rн =1/(0,318*S*Кд )

Подставляя данные, получим:

Rн =1/(0,318*0,01*1)=314 (Ом)

Сопротивление Rн и ёмкость Сн в цепи нагрузки коллекторного сенсора должны удовлетворять условию:

1/w0 <

где w0 – частота несущего колебания, W0 - частота модулирующего колебания.

Используя соотношение (3) выберем ёмкость Сн в цепи нагрузки:

1/1000000<<314*Сн <

314*Сн =0,000001,

Сн =3,18*10-9 Ф=3,18 (нФ) .

4.СПЕКТРАЛЬНЫЕ ДИАГРАММЫ СИГНАЛОВ КОЛЛЕКТОРНОГО Сенсора

Изобразить спектральные диаграммы входного и выходного сигналов коллекторного сенсора с указанием амплитуд и частот всех спектральных составляющих. Амплитуду несущего колебания и глубину Детектирование амплитудно-модулированных сигналов - реферат модуляции считать равными Um =0,1 В, m=0,5.

Потому что входной сигнал модулирован по амплитуде одно-тональным сигналом, то данный сигнал будет содержать только три гармонических составляющих на частотах w0 -W, w0 , w0 +W с амплитудами соответственно mUm /2, Um , mUm /2, где w0 , W - частоты несущего и модулирующего колебаний, m – глубина Детектирование амплитудно-модулированных сигналов - реферат модуляции (рис. 4).

Из определения коэффициента детектирования:

Кд =Um вых/(m*Um )

определим амплитуду сигнала на выходе сенсора:

Um вых= Кд *m*Um =1*0,5*0,1=0,05 (В)

Амплитуда гармонических составляющих:

m=0,1;

mUm /2=0,5*0,1/2=0,025 (В)

Исходя из выше отысканных данных, построим спектральную диаграмму сигналов коллекторного сенсора:

Um, B

w, 105 рад/сек

0 w0 – Ww0 w0 +W

рис.4 «Исходная диаграмма Детектирование амплитудно-модулированных сигналов - реферат»

При построении спектральных диаграмм по оси Y откладывается амплитуда, а по оси Х частоты гармонических составляющих сигнала.

При условии (3), в диапазоне выходного сигнала сенсора, будет только одна гармоническая составляющая с частотой W (рис. 5)

Um , В

w рад/сек

0 W=104

рис.5 «Выходная характеристика»

5.РАСЧЁТ ЦЕПИ НАГРУЗКИ ДИОДНОГО Сенсора

Отыскать значения сопротивления Детектирование амплитудно-модулированных сигналов - реферат Rн и ёмкости Сн в цепи нагрузки диодного сенсора, при которых коэффициент детектирования равен 0,9, если крутизна транзистора S=10 mA/В, частоты несущего и модулирующего колебаний равны w0 =106 рад/сек, W=104 рад/сек соответственно.

На рис. 6 приведена схема диодного сенсора амплитудно-модулированных сигналов. В данной схеме в качестве нагрузки употребляется Детектирование амплитудно-модулированных сигналов - реферат параллельная RC-цепь. Она состоит из резистора с сопротивлением Rн и конденсатора ёмкостью Сн .

Коэффициент детектирования диодного сенсора определяется из выражения:

Кд =cos[(3p/(S*Rн ))1/3 ], (5)

где S – крутизна диодика.

Выразим сопротивление резистора Rн из выражения (5):

arсcos Кд =(3p/(S*Rн ))1/3 ; Þ Rн 1/3 =(3p/S) 1/3 /arсcosКд ; Þ

Rн =((3p/S Детектирование амплитудно-модулированных сигналов - реферат) 1/3 /arсcosКд )3 . (6)

Подставим данные в выражение (6):

Rн =((3p/S) 1/3 /arсcosКд )3 =((3p/0,01)1/3 arсcos0,9)3 =10272 (Ом) .

Сопротивление Rн и ёмкость Сн в цепи нагрузки диодного сенсора должны удовлетворять условию:

1/w0 <

где w0 – частота несущего колебания, W0 - частота модулирующего колебания.

Используя соотношение (7) выберем ёмкость Сн в цепи нагрузки диодного сенсора:

1/1000000<<10272*Сн Детектирование амплитудно-модулированных сигналов - реферат <

10272*Сн =0,000001,

Сн =9,73*10-11 Ф=97,3 (нФ) .

6.СПЕКТРАЛЬНЫЕ ДИАГРАММЫ ДИОДНОГО Сенсора

Изобразить спектральные диаграммы входного и выходного сигналов диодного сенсора с указанием амплитуд и частот всех спектральных составляющих. Амплитуду несущего колебания и глубину модуляции считать равными Um =0,1 В, m=1.

Потому что входной сигнал модулирован по амплитуде одно-тональным сигналом, то он будет содержать только Детектирование амплитудно-модулированных сигналов - реферат три гармонических составляющих на частотах w0 -W, w0 , w0 +W с амплитудами соответственно mUm /2, Um , mUm /2, где w0 , W - частоты несущего и модулирующего колебаний, m – глубина модуляции (рис.7).

Из определения коэффициента детектирования:

Кд =Um вых/(m*Um )

определим амплитуду сигнала на выходе сенсора:

Um вых= Кд *m Детектирование амплитудно-модулированных сигналов - реферат*Um =1*0,9*10=9 (В)

Амплитуда гармонических составляющих:

m=1;

mUm /2=1*10/2=5 (В)

Исходя из выше отысканных данных, построим спектральную диаграмму сигналов диодного сенсора:

Um, B

w, 105 рад/сек

0 w0 – Ww0 w0 +W

рис.7 «Входная диаграмма»

При построении спектральных диаграмм по оси Y откладывается амплитуда, а по оси Х частоты гармонических составляющих сигнала.

При условии (7), в диапазоне выходного сигнала Детектирование амплитудно-модулированных сигналов - реферат сенсора, будет только одна гармоническая составляющая с частотой W (рис. 8)

Um , В

wрад/сек

0 W=104

рис.8 «Выходная характеристика»

7.ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Для коллекторного сенсора пригодится наименьшее напряжение сигнала, также таковой сенсор обеспечит наилучший коэффициент детектирования.

Диодный сенсор более прост в конструировании и, соответственно дешевле.

8.Перечень ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

1.Радиотехнические цепи и сигналы (под Детектирование амплитудно-модулированных сигналов - реферат ред. К.А. Самойло – М.: Радио и связь, 1982)

2.С.И. Баскаков «Радиотехнические цепи и сигналы», 2-е издание – М.: Высшая школа, 1988

3.У.М. Сиберт «Цепи, сигналы, системы» в 2-х частях.: Пер. с британского. – М.: Мир, 1988


desyat-stadij-processa-vizdorovleniya-9-glava.html
desyat-tisyach-zhitelej-poplivut-na-sleduyushej-nedele-gazeta-moskovskij-komsomolec-13042011.html
desyat-vidov-oskorblenij-svyatih-imen-gospoda.html